Silicon Refinement and monocrystalization

[Hiiragi283]

1. SiO2 + C -> Si + CO2
2. Si + 2Cl2 -> SiCl4
3. SiCl4 + 2x H2 -> Si (refined) + 4x HCl
4. CZ/チョクラルスキー法で単結晶化
5. 単結晶を切ってウェハに

• 表面の研磨
• 表面の酸化

6. 薄膜形成

• フォトレジスト：感光材を塗る

7. パターン形成

• エッチング
• レジスト剥離
• ドーパント注入：酸化膜のない部分に不純物イオンを注入する
• 平坦化
• 電極形成

8. ダイシング
9. ワイヤーボンディング：金属枠にチップを固定し金線でつなぐ
10. モールディング：樹脂でパッケージ

参考文献

• SEMI, イラストで分かる半導体製造工程, https://www.semijapanwfd.org/manufacturing_process.html